电子设备行业专题研究：新能源提效在即，碳化硅优势显现开启全新增长极（附报告）

投资要点

碳化硅性能优势显著，国内外厂商加速布局。SiC具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优势，更适用于高压、高温、高频环境。当前SiC市场仍被海外厂商主导，我国在该领域已催生出一批优质企业，并实现全产业链覆盖。衬底作为产业链核心，当前以PVT法为主流技术。

新能源提效迫切，800V强势催化打开SiC广阔空间。SiC器件应用领域覆盖新能源汽车、光伏、轨道交通、5G等景气市场。在新能源车载模块，SiC器件主要应用于电机驱动系统逆变器、车载DC/DC、车载充电系统，助力整车提升加速度、降低系统成本、增加续航里程、实现轻量化。车用充电桩方面，我国存在巨大市场缺口，截至2021H1车桩比仅为3.1：1，且快速直流充电桩不足半数。因此需求端，充电问题造成的“里程焦虑”阻碍了新能源车进一步普及，800V需求迫切；供给端，主流车厂加速布局800V平台及碳化硅模块。此外，光伏市场高增，轨交中SiC器件占比快速提升将进一步打开SiC市场空间。据我们测算，到2027年全球SiC市场规模有望达到481-675亿元。

国产替代、成本下降、良率提升持续推进。国产替代方面，我国SiC研发及工业化起步晚，海外厂商仍占主导，2021年全球SiC衬底市场仅美国厂商就占据逾76%的份额。但我国厂商产品迭代加速，研发时间较海外厂商更短，且性能参数均可对标，市占率呈快速上升趋势。成本方面，后道的冷切割、高速抛光等工艺及尺寸的扩大提升了晶片的加工效率及使用效率，使SiC器件与Si器件价差逐渐缩小。良率方面，针对影响良率的温度控制、晶型控制等难题，国内已有先进设备和专利技术，随着学界和业界的持续探索，SiC良率提升未来可期。

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