美国功率电子制造业创新研究所推动宽带隙半导体研究

　　1、碳化硅和氮化镓先进宽带隙功率模块的设计与制造。项目将设计并制造采用碳化硅和氮化镓先进宽带隙功率模块，以支持下一代国防系统、商业运输、风能和太阳能系统，同时降低整体系统成本。

　　2、用于直流48伏至低于1伏的非隔离式直流–直流转换器模块的双电感混合转换器。项目将设计开发基于氮化镓的新型转换器，结构简单成本更低，能量密度是目前市场上转换器的10倍，功耗降低3倍。

　　3、中压固态电路断路装置。项目将测试中压（3300伏）碳化硅固态断路器的功能原型，实现高效率微秒级快速关断。

　　4、600伏氮化镓双向开关。项目将充分利用氮化镓高电子迁移率晶体管技术的独特双向特性，开发低成本600伏双向开关。该项目将验证双栅极概念和衬底电压稳定解决方案，并将使氮化镓开关比目前常用标准硅器件更具经济性。

　　5、宽带隙半导体功率器件实验室。项目将建立完全专注于宽带隙功率器件设计、制造和表征的研究生实验课程，并向成员所推广。

　　6、宽带隙开关和电路的功率电子器件教学实验室。项目将开发具有即插即用功能的模块化、多功能、高频功率教学电路板。新电路板将适用于不同的电子实验课程，本科生将通过宽带隙功率电子器件实践经验和实践知识的学习，培训成为宽带隙功率电子工程师。     （黄健）

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