东莞证券:集成电路系列报告二-3D NAND国产替代渐行渐近(附PDF)

核心观点

闪速存储器已经成为主流存储器之一, NAND Flash占据主要位置。闪速存储器是-种电子式可清除程序化只读存储器,其支持多次的擦除及写入。主要应用于一般性数据存储,在计算机及电子产品中被广泛使用。根据市场销售规模,闪速存储器销售占比约为45%,成为继DRAN外第二大储存器产品,是主流存储器之一。闪速存储器中,NAND Flash产品销售额在存储器中占比约为42%,成为闪速存储器中占比最大的细分产品。NAND Flash作为高数据存储密度闪存器,被广泛应用于各种数字终端设备。其中,手机和固态硬盘(SSD) 是NAND闪存应用份额占比最高的两个领域,分别约为48%和43%。

3D NAND具有性能及成本优势。由于集成电路发展受到摩尔定律约束,而NAND Flash作为集成电路的一种在2D层面发展受到了制约。虽然制程提升使得Planar NAND在1z/1y /1z m.上得到- -定发展,但未能有效突破发展瓶颈且面临一- 系列挑战。而3D NAND技术使得NAND Flash进入到一个全新发展阶段,突破原有需要不断对晶体进行微缩而达到扩容的瓶颈,通过对晶体进行堆叠而实现单体容量提升。此外,3D技术还能降低单位容量成本。3D NAND技术使得NAND Flash发展空间得到提高。

国际原厂引领3D NND技术发展,国产替代需求在扩大。在NAND Flash市场中,三星、东芝存储、镁光、SK海力士、西部数据、英特尔这六家原厂长期垄断着全球99%以上的份额。此外,国际原厂持续引领着3DNAND技术研发,形成了较为厚实的技术壁垒。目前,我国智能手机出货量占全球市场份额超过20%,随着国内品牌在性能等方面升级,将提高品牌知名度,销售量将有望提升。在服务器领域,我国厂商在市占率具有一-定优势的情况下,叠加国内IDC产业加速发展,出货量有望提升.手机和数据中心服务器作为NAND Flash产品主要应用方向之二,其出货量将对NAND Flash产生影响。所以,我国相关厂商对NAND Flash需求有不断扩张的趋势,基于产能保障等方面考虑形成国产替代需求。

长江存储有望打破市场垄断。长江存储是我国3D NAND技术上的龙头企业,其基于Xtacking构架的64层产品已经量产。虽然国际领先原厂已经量产96层3D NAND产品并向下- -代产品进行研发,而长江存储仅有64层产品,但我国与国外领先原厂的距离已经在逐步缩小。此外,长江存储已推出Xtacking2.0且直指128层3D NAND技术,这将有助于加快对先进技术的追赶。

供求关系持续改善,价格有望持续向好。5G在全球范围内均掀起热潮,无论是网络建设,还是下游应用都成为市场焦点。在此背景下,5G手机换机潮和IDC建设升级所形成的需求端具有较高的确定性。需求增长将改善供求关系,在NAND Flash价格企稳回升后有望持续向好。

 

 

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