国产存储芯片最新突破!

从全球市场看,存储芯片竞争激烈,三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入,技术也一直领先。2018年,64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品,2019年开始量产92层、96层的产品,到2020年,大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。
  在被美日韩掌控的存储芯片市场上,终于有中国公司可以杀进去跟国际大厂正面竞争了。今天(9月2日)上午,紫光集团旗下长江存储宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存!
 
 
  这也是中国首款64层3D NAND闪存,意味着国内在存储芯片有了新的突破。在2018年,长江存储已经量产了32层3D NAND闪存芯片,技术得到了验证。如今,随着64层3D NAND量产,长江存储继续探索高端芯片制造。
 
  市场应用方面,长江存储计划推出集成64层3D NAND闪存的固态硬盘、UFS等产品,以满足数据中心,以及企业级服务器、个人电脑和移动设备制造商的需求。
 
  长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示:“通过将Xtacking®架构引入批量生产,能够显著提升产品性能,缩短开发周期和生产制造周期,从而推动高速大容量存储解决方案市场的快速发展。”程卫华还提到,“随着5G,人工智能和超大规模数据中心时代的到来,闪存市场的需求将持续增长。”
 
  从全球市场看,存储芯片竞争激烈,三星、海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入,技术也一直领先。2018年,64层、72层的3D NAND闪存就已经是主力产品,2019年开始量产92层、96层的产品,到2020年,大厂们即将进入128层3D NAND闪存的量产。
 
  因此,国内存储产业还处在追赶阶段,不过差距正在缩小。据了解,长江存储有可能跳过9字头,直接进军128层3D NAND闪存产品。
 
 
  2014年11月,中国成立国家集成电路大基金,这个基金推动中国先进集成电路产业发展。
 
  2016年3月,在集成电路产业基金的支持下,武汉新芯宣布投资240亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业,集中精力研究生产NANDFLASH和DRAM。
 
  项目分三个阶段部署,第一家工厂专注NAND闪存生产,第二家工厂专注DRAM芯片生产,第三个阶段的设施将专为供应商服务。请注意,第一家工厂是做NAND FLASH的,正是长江存储是优先量产NAND FLASH产品。
 
  2016年7月,紫光集团参与进来,各方在武汉新芯公司的基础上成立了长江存储公司并控股武汉新芯。长江存储由紫光集团子公司紫光国芯,集成电路基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业和省科投共同出资。其中,紫光国芯出资197亿元人民币,占51.04%。
 
  2017年1月,紫光集团进一步宣布投资300亿美元,在江苏南京投资建设半导体存储基地,一期投资100亿美元,建成月产能10万片,主要是生产3D NAND FLASH(闪存)、DRAM存储芯片。
 
  2018年6月,紫光集团宣布投资240亿美元,在西川成都建3D闪存工厂,2018年10月中旬动工,预计2020年12月主体完工,第一期建成之后,将月产10万片,三期都完成后将拥有月产30万片的一个生产能力。
 
  武汉工厂240亿美元+南京工厂300亿美元+成都工厂240亿美元,长江存储项目中国砸了780亿美元,NAND Flash便是长江存储最先发力的方向。
 
  而长江存储目前的表现没有辜负我们对它的期望。

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