平行线也能相交,走偏了存储之争

本周的Storage Field Day上,西数透露正在开发自家的名为“存储及内存(SCM)”的低延迟闪存,据悉该技术介于3D NAND与DRAM之间,其访问延迟在微妙级,使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元,旨在挑战英特尔的傲腾和三星的Z-NAND。

作为HDD时代的储存大厂西部数据和处理器一哥英特尔在很长一段时间都像两条永不相交的平行线一样井水不犯河水,直到以SSD为代表的闪存存储大行其道,前者被逼上梁山,后者大爆黑科技乘机下场,两位走偏了的科技巨头终于在闪存存储领域相交了。

本周的Storage Field Day上,西数透露正在开发自家的名为“存储及内存(SCM)”的低延迟闪存,据悉该技术介于3D NAND与DRAM之间,其访问延迟在微妙级,使用 1-bit 或 2-bit 的存储单元,旨在挑战英特尔的傲腾和三星的Z-NAND。

除此之外,西数并没有透露更多细节,也为就该项技术是否与去年东芝推出的XL-Flash有关,同时该公司还拒绝透露相关产品何时上市。

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