英特尔要推eMRAM 存储器看来是动真格的了

由于不管是DRAM内存还是NAND闪存,制程微缩已遭遇瓶颈,相对地,MRAM未来制程微缩仍有许多发展空间,MRAM因此备受期待,认为可以取代DRAM内存和NAND闪存。

曾经,英特尔是存储器闪存的发明者之一(另外一家是东芝),为了保持核心业务的竞争力,摆脱存储器的价格和利润的波动,放弃了存储器业务。

早10年,CPU领域英特尔已经没有对手,于是又看上了存储器,和镁光有了合资工厂,也有自己的固态硬盘产品,但是始终没有大动干戈,态度犹豫模糊。

2016-2018年,眼看着存储器赚的盆满钵满,英特尔终于下定决心扩建大连厂,做闪存。如今,Intel又推出了eMRAM。

真是计划赶不上变化。还没有真正有多少业务,Nand和DRAM跌的惨叫。不管是DRAM内存还是NAND闪存,最近都在跌价,而且,预计2019年Q1季度DRAM内存市场均价跌幅将达20%,Q2季度会再跌15%。而NAND闪存方面大家的感受更明显,2018年市场均价跌幅已达50%,并且若仍无足够需求动能支撑,2019年NAND闪存仍可能再跌50%。

好在eMRAM是一种前沿技术,并不急于一时。

根据techpowerup的报导,EETimes上不久前发布了一份报告,该报告显示英特尔自己的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经准备好大批量生产。

MRAM主要利用磁致电阻的变化来表示二进制的0和1,从而实现数据的存储,是一种非易失性存储技术,这意味着即使断电情况下,它仍然会保留住信息,同时它还有不输于DRAM的容量密度及使用寿命,平均能耗也远低于DRAM。

由于不管是DRAM内存还是NAND闪存,制程微缩已遭遇瓶颈,相对地,MRAM未来制程微缩仍有许多发展空间,MRAM因此备受期待,认为可以取代DRAM内存和NAND闪存。

MRAM省电的特性,意味着英特尔嵌入式MRAM将很有可能先用于移动设备上。并且嵌入式 MRAM 被认为特别适用于例如物联网 (IoT) 设备之类的应用,也赶搭上 5G 世代的列车。

提交这篇论文的英特尔工程师Ligiong Wei说,英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10 年的数据存留,并可在超过100万个循环内实现持久性,这些都不是闪存能够比拟的。

从这件事情上看,Intel已经在谋划未来的科技了。扎根存储,看来是动了真格了。

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