存储芯片新一轮涨价周期或将开启!谁能分一杯羹?


存储芯片新一轮涨价周期或将开启!谁能分一杯羹?


近日,据天风证券研报指出,存储芯片新一轮涨价周期开启。受此前半导体下行周期的影响,存储芯片营收自2018年第三季度持续下滑,但进入2019年第三季度情况开始好转,DRAM与NAND 总产值均提升,存储价格在近期有触底回升的趋势

然而,在新冠肺炎的影响下,有业者认为,终端产品的需求可能会在2019年第一季度下跌,也就是说存储器的市场不容乐观。具体情况如何呢,我们不妨来探讨一下。

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NAND FLASH市场回暖
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受DRAM和NAND FLASH市场波动的影响,存储芯片巨头三星的2019年营收同比下滑29.1%。要知道,在过去的2019年,三星占全球NAND FLASH市场的40%左右,DRAM市场份额更是超过45%。

同样受到内存市场价格下滑影响的则是全球排名第二的SK海力士和镁光科技,两家企业2019营收分别下滑38%和32.6%。据DRAMeXchange发布的数据显示,SK海力士和镁光科技市场份额为28.6%和19.9%。

值得注意的是,铠侠(原东芝)存储器的营收同比增长3.1%,而他的主营业务为NAND FLASH。

按照这样的情形来看,2019年NAND FLASH市场的表现要比DRAM好。据行业人士分析认为,NAND FLASH主要受SSD(固态硬盘)应用的强劲需求和5G智能手机、游戏主机的增长的推动,才能够在2019年第三季度出现触底反弹现象。

也有业者认为,2019年上半年,NAND FLASH价格持续下跌,进而导致厂商减产,推动NAND FLASH在第三季度反弹。

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数据来源:DRAMeXchange(芯师爷制图)

另外,据国金证券研究所数据统计,从2019年第三季度NAND FLASH市场需求增大以来,NAND FLASH大厂库存月数已降低至4月以下。其中SSD(固态硬盘)的需求约占NAND FLASH市场的43%,智能手机的需求约占48%。

在智能手机中,由于5G数据传输速率和传输量的增加,5G智能手机对于NANA FLASH的标配可能处于128-256G之间,而以往4G手机大部分处于64-128G,这部分需求量将在5G基站大规模建设完成、5G逐步普及阶段爆发,预计时间在2020年下半年。

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DRAM市场依旧不太乐观
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与NAND FLASH相比,DRAM市场从2018年第四季度开始走空,延续到2019年价格一路下滑,直到2019年12月中下旬市场才开始出现反弹

微驱科技总经理吴金荣曾表示:“这波价格反弹,显示DRAM供过于求,已趋缓和。预估今年DRAM位元(bits)供给量较2019年成长18%,而位元需求量年成长19%,在供给没有大幅增加,需求稳定成长下,市场将可拨云见日。DRAM产业资本支出在2018年达到近年高点,约185亿美元,在不景气的冲击下,2019、2020年产业资本支出下修,分别约146亿、129亿美元,没有大幅资本支出,产能不会快速增加。”

按照业者的反馈来看,DRAM在需求方面,最大的应用市场为智能手机,约占DRAM市场需求的35%;其次是伺服器,占总需求的28%左右。

综合来看,由于5G基站没有彻底铺开,所以消费者在2019年下半年对于5G智能手机的需求并不是太大。另一方面,AI、物联网产业受技术及市场推广的限制,2019年表现也非常一般,所以伺服器的需求并没有增加太明显。

预计2020年下半年,DRAM市场可能会出现拐点,但依旧不太乐观。”有行业人士分析道。

据国金证券预测,2020年全球DRAM产出同比将增加15%-17%,NAND FLASH产出同比将增加30%-35%,这应该是1-2个点低于2020年需求,所以DRAM会从2019年的5个点变为2020年的2个点,会出现供过于求的现象。而NAND FLASH会从2019年的1个点,转变为2020年的5个点,会出现供不应求的现象

此外,近日路透社曾预测,受新冠肺炎的影响,中国智能手机2020年第一季度销量预计下滑30%-50%。按照这个预测来看,对于存储行业的影响非常大。但由于存储器位元的增长,加上2020年下半年基站大规模建设完成,5G智能手机需求量增长,存储器市场将迎来一波爆发期,综合来看,疫情对于存储行业整体的影响并不是太大

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国产存储器企业迎来新机遇
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NAND FLASH市场逐步回暖,对于国内存储器大厂而言,这是一次很好的机会。加之,中美贸易摩擦事件的推动,国产替代进程也在不断加快。

2019年,长江存储64层3D NAND FLASH实现量产。按照之前的规划来看,2020年长江存储将至少有60k/m的投产量,月产能将有望达到10万片。

有业者预测,2020年长江存储3D NAND FLASH 市场份额也有望达到2%。另一方面,三星、英特尔、SK海力士虽然已经有92/96层的产品生产量,但长江存储直攻128层,以缩减与国际存储大厂的差距。可以预测,2020年之后,在128层NAND FLASH市场上,长江存储将有望与国际存储大厂扳手腕。

在DRAM领域,国内的合肥长鑫虽然在2019年借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm级别,但是还未量产,目前量产的产品工艺是19nm。

有业者认为,预计合肥长鑫1xDDR4的市场份额将有望在2020年达到0.5%。而三星10nm DRAM产品已经研发到第三代,前两代产品已经量产。综合来看,国内DRAM技术与国际领先水平相差大概两代,大约三年时间。

据国金证券预测,国产存储器想要达到全球10%的市场份额,大概还需5年

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除此之外,兆易创新凭借苹果TWS Airpods无线耳机市场需求的大幅增加,抢占了低容量NOR FLASH市场;北京君正于2019年收购美国利基型DRAM/NAND/SARM设计大厂 ISSI,预计将受惠于国产替代。

目前来看,国内NAND FLASH 设计公司有兆易创新、东芯半导体,代工厂有中芯国际、长江存储;NOR FLASH 企业有兆易创新、东芯半导体、XMC,代工厂有中芯国际、武汉新芯、华力微;DRAM企业有东芯半导体、紫光,代工厂为合肥长鑫。

写在最后


可以看到,在国内5G、智能手机、AI及物联网等市场需求的推动下,外加政策和政府大量资金的投入,为国内存储器产业发展提供了良好的平台,也是国内存储器企业走向国际的良好机遇。根据全球终端产品市场走向来看,未来3-5年,全球存储器产业朝国内迁移的趋势明显。

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原文始发于微信公众号(芯师爷):存储芯片新一轮涨价周期或将开启!谁能分一杯羹?

 

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