造芯计划砸3300亿元直指中国!美众议院通过近3000页“芯片法案”

当地时间2月4日,美国众议院以222票赞成、210反对的投票结果通过了《2022美国竞争法案》。
造芯计划砸3300亿元直指中国!美众议院通过近3000页“芯片法案”

该法案全文长达近3000页,主要内容包括旨在促进美国半导体制造业的大规模投资。
其中包括约520亿美元(约合人民币3308亿元)对半导体行业的拨款和补贴,以及450亿美元(约合人民币2672亿元)用于加强高科技产品的供应链。试图从而在全球范围内「更好地」与中国竞争。
行业报告估计,这些投资将使美国能够在未来10年内建设19个工厂,并让芯片制造能力翻倍。
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此外,该法案还包括为一个帮助发展中国家适应气候变化的基金提供80亿美元;划拨30亿美元用于降低对中国太阳能制造行业的依赖;为帮助失业率明显高于全国平均水平的社区提供40亿美元;以及为各州储备药品和医疗设备提供105亿美元。
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由于新冠疫情使芯片供应链的紧张局势一直得不到缓解。美国商务部上周发布了一份报告称,一些半导体产品的库存中值已经从2019年的40天下降到2021年的不到5天。而这个问题在未来六个月内都不会解决。
美国商务部长吉娜·雷蒙多在讨论该法案时表示,该法案中「最紧迫的需求」是520亿美元用于国内芯片生产,因为全球芯片短缺对包括汽车行业在内的经济的影响,以及在海外制造如此多半导体对国家安全的影响,已经到了必须要应对的地步。
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「我们不能再等了,我们落后太多了。就国家安全而言,我们处于如此危险的境地,在最先进的芯片上严重依赖海外。」
雷蒙多的表态可能并不是危言耸听。
自上世纪90年代以来,美国在全球半导体制造业中的份额从1990年的37%稳步下降到现在的12%左右。此次通过的法案正试图扭转这一趋势,业内官员称,这个法案的通过的最大推动力实际上可能是外国的竞争对手。
不过,美国在芯片设计(52%)和芯片制造设备(50%)方面仍然领先。中国大陆在这两方面都落后于美国多年。
法案中的另一项规定将对低价产品征收关税。目前,美国对价值低于800美元的进口商品不收关税。而该法案则取消了某些国家和地区的门槛,尤其是中国大陆。
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当然,这不是美国在芯片方面的第一次布局。
2021年6月8日,美国国会参议院以68票赞成、32票反对的结果,通过了长达1400多页《2021美国创新与竞争法案》。其中就有用于半导体、芯片和电信领域的540亿美金。
该法案在提出获批后,一年时间里因为种种原因停滞不前。
而本次获得通过的《2022美国竞争法案》将是去年创新与竞争法案的延续。
2500亿美元,《2021美国创新与竞争法案》高票通过
2021年6月8日,美国参议院以68票赞成、32票反对,压倒性通过了长达1400多页《2021美国创新与竞争法案》。
这项法案计划拨款约2500亿美元,以应对中国所谓的「科技威胁」。其中大部分支出发生在头五年。
该法案的核心是向商务部紧急拨款500亿美元,用于通过国会先前授权的研究和激励计划支持半导体开发和制造。
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其中,1900亿美元,从总体上加强美国的技术;540亿美元,用于半导体、芯片和电信领域。
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法案前3部分主要详细介绍了美国如何在科技领域的布局:
P1:芯片和ORAN 5G紧急拨款
近几十年,美国半导体和微电子领域的本土制造在全球占比大幅下滑。
美国公司占世界芯片销售额的48%,但位于美国的工厂只占世界半导体制造业的12%,低于1990年的37%。而包括中国大陆在内的外国竞争者在此领域大量投入并占据主导地位。
为了保持美国在这一领域的竞争力,投资520亿美元,用于和有关芯片生产、军事以及其他关键行业的相关项目。
另外,15亿美元投资电信领域,以加强美国在5G竞争中的创新。
法案还专门提到了华为给美国国家安全和全球电信网络带来的「无法接受的风险」。
P2 :《无尽前沿法案》
未来5年投入大约1200亿美元,用于包括人工智能、半导体、量子计算、先进通信、生物技术和先进能源在内的关键技术领域的基础和先进研究、商业化、教育和培训项目。
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该法案主要涉及了4个立法目标:
在国家科学基金会(National Science Foundation,NSF)设立一个新的技术和创新理事会(DTI,Directorate for Technology and Innovation)
创设区域技术中心
针对经济安全、科学、研究、创新、制造和就业建立一个战略报告体系
设立供应链韧性和危机应对计划的项目
P3 :《2021年战略竞争法案》
这部分法案致力于让美国减少对中国供应链的依赖,加强美国「半导体」实力,以及在科研领域增加研究经费等。
为应对中国的科技竞争,该法案还提出与盟友「共享技术」战略,包括技术控制和标准,以及关于开发和获取关键技术的战略。
在相关政策的支持下,英特尔、三星、台积电等芯片企业已经陆续公布了在美国建设芯片工厂的计划。
英特尔豪掷1000亿美元,建世界最大芯片工厂
2022年1月,英特尔表示将投资200亿美元建设2家芯片制造工厂,并计划最终投资1000亿美元,共建设8家制造工厂。其中第一座晶圆厂将于2025年上线。
据介绍,200亿美元的先期投资是俄亥俄州历史上最大规模的投资,将在新奥尔巴尼占地1000英亩(约合400公顷)的土地上创造3000个就业机会。
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英特尔CEO盖尔辛格表示,「此举不仅是为了提高芯片产能,也是为了重振英特尔在芯片制造领域的领先地位。」
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英特尔发言人威廉·莫斯表示,「我们的目标是在未来10年投资1000亿美元,但如果没有联邦政府的支持,这一目标将很难在那段时间内实现。不过,最初的200亿美元投资并不依赖联邦补贴。」
英特尔还将大量资本用于劳动力培训,它计划10年内花费1亿美元用于半导体教育,包括培养高技能人才。
届时,随着大批高技能人才输出,英特尔表示,员工的平均年薪将达13.5万美元(约85.6万元)。
台积电斥120亿美元, 将5nm引入美国
台积电早在2020年就宣布将投入120亿美元在亚利桑那州凤凰城建造一座5纳米晶圆厂。
该工厂于2021年正式开工,预计在2024年投产。建成后的计划产能将达到每月2万片,并会聘用超过1600名员工
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从政治角度讲,台积电的建厂计划对美国来说可能是一个胜利。
时任美国商务部长罗斯(Wilbur Ross)在一份声明中称赞了台积电的计划:「这是台积电、亚利桑那州政府和美国政府之间多年谈判的结果。」
此外,据知情人士透露,美国国务院和商务部都参与了相关计划。
台积电表示,已将2022年的资本支出预算定在400亿至440亿美元之间,创下历史高位,2021年的资本支出约为300亿美元。
三星170亿美元,建3nm芯片厂
三星电子于2021年11月宣布在美国建设半导体代工厂。
据悉,三星将在得克萨斯州泰勒市投入170亿美元,建造半导体工厂。2022年开工建设,力争2024年下半年投入运行。有分析认为,该工厂将生产电路线宽为3纳米的新一代产品。
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这项在得克萨斯州的投资也显示出扩大芯片生产规模之艰难。工厂造价高,使用的先进工具每件成本可能超过1.5亿美元,而且需要多年才能建成。
美国政府的态度对此次三星建设工厂明显发挥了作用。美国商务部部长吉娜·雷蒙多在声明中表示欢迎称,「增加半导体的国内生产,对于美国的经济安全保障来说非常重要。」
据报道,三星计划在未来数年内投资超过2050亿美元,旨在提振芯片和生物技术产业,其中芯片制造是优先事项。
美国芯片制造业外流,但不是中国大陆
据美国半导体行业协会2020年的统计,在所有美国拥有和经营的晶圆厂中,位于中国大陆的只占不到2%,在美国半导体行业的全球总产能中仅占5.6%。
虽然有美国公司因为更有吸引力的激励措施,选择了在外扩张。但美国半导体制造商44%的晶圆厂产能仍位于本土,其中共有分布在18个州的70座晶圆厂。
而中国大陆的代工厂,如中芯国际,在2019年仅占美国公司全球代工总收入的5.8%。
即便如此,美国为了维持自身的在该领域的垄断地位,不断地给创新竞争法案加码,并批准了大量投资。
来源:新智元

 

 

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