不用EUV光刻机也能搞定,中芯国际7nm工艺细节曝光
2月14日上午
据了解,中芯国际原定的2019年全年增长率目标是达到20~21%
对于新的财年,赵海军博士指出
在工艺方面,财报显示2019年四季度量产的14nm工艺,已经为中芯国际带来了768万美元的营收,不过在整个四季度的营收占比仅不到1%。而中芯国际14nm工艺目前所面临的主要问题还是产能,目前中芯国际14nm工艺主要是在上海的中芯南方12英寸晶圆厂生产,去年底也就生产了1000片晶圆左右,产量很低。
不过,根据中芯国际联席CEO梁孟松的说法,今年3月14nm月产能将达到4000片,7月将达到9000片,12月将达到15000片。
另外,中芯国际还将推出基于14nm改良的12nm工艺,据介绍,该工艺比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%,目前已经进入了客户导入阶段。
不过,即便是12nm工艺,也与目前台积电、三星最先进的5nm工艺相比,仍然有着2-3代的技术差距。因此,中芯国际也在加快研发更为先进的工艺制程。
在这次的财报会议上,梁孟松博士也首次公开了中芯国际的N+1、N+2工艺的情况。
梁孟松博士表示,中芯国际的N+1工艺和现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。
虽然梁孟松博士并未明确这个N+1工艺是10nm工艺还是7nm工艺,但是从上面公布的逻辑米娜及缩小的数据来看,很可能是7nm工艺。而此前业内也有消息称中芯国际将跳过10nm工艺,直接研发7nm工艺。
不过,梁孟松博士也表示,N+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似,但性能不如,业界标准是提升35%,所以中芯国际的N+1工艺主要面向低功耗应用的。
而在N+1之后,中芯国际还会有N+2,这两种工艺在功耗上表现差不多,区别在于性能及成本,N+2显然是面向高性能的,成本也会增加。
至于推出的时间,在此前的财报当中,梁孟松博士有提到会在2020年底开始试验产能,而真正的量产可能要等到2021年了。
对于此前备受关注的中芯国际向ASML订购的EUV光刻机,由于“出口许可过期”交付被中止一事,中芯国际官方并未回应,不过梁孟松博士表示,在当前的环境下,N+1、N+2代工艺都不会用EUV工艺,等到设备就绪之后,N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。
显然,中芯国际的7nm工艺的路线规划来看,与此前台积电的路线差不多。台积电也是一开始选择原有的DUV工艺来开发7nm,去年才开始推出基于EUV工艺的7nm+,不过光罩层数也比较少,而5nm节点才是充分利用EUV光刻工艺的,可以达到了14层EUV光罩。
编辑:芯智讯-林子
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