三星向中国芯片工厂投资80亿美元，促进NAND闪存芯片生产

外媒报道称，三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。

此次的80亿美元是三星西安闪存芯片二期项目的第二阶段投资，第一阶段为70亿美元，总投资150亿美元。在这之前，三星还向西安的一家检测和包装工厂投资了108亿美元，这也是其西安闪存芯片项目的一期。

据悉，二期项目预计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能13万片/月，新增产值300亿元。与此同时，三星西安工厂也将成为全球规模最大的闪存芯片制造基地。

根据2012年三星决定将芯片项目落地西安时所公开披露的消息，将投资超过300亿美元，共分为三期进行，第一期为100亿美元，分两阶段完成，第二期为70亿美元，第三期为130亿美元。两相对比，目前三星投入的金额已经超过了当初的规划。

众所周知，三星是全球最大的NAND闪存芯片制造商，这类芯片主要被用于移动设备、存储卡、U盘和固态硬盘中。对于三星此次的投资动向，有业内人士分析称，由于中国5G网络布局提速，对5G设备和网络需求不断上升，明年全球内存芯片市场将出现反弹，因而加大中国芯片厂商的投资也是明智之举。

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