光刻机行业：半导体设备价值之冠，国产替代迎来奇点时刻（附报告）
光刻机是半导体设备中最复杂、价值量最高的环节，也是国产化进程中亟待攻克的高地。光刻作为晶圆制造的核心工序，承担电路图形转移的关键使命，单机价值量居半导体设备首位。根据观研天下数据中心，2024年光刻机以约24%的市场份额在半导体设备中占比最高。
光刻机演进遵循瑞利判据(CD=k-/NA),通过光源波长缩短、数值孔径提升及工艺因子优化，延续摩尔定律推动工艺节点突破。1)汞灯到DUV再到EUV,波长逐步缩短；2)浸没式技术突破折射率瓶颈，使NA提升至1.35;3)工艺因子优化，离轴照明、OPC、相移掩模、多重曝光等系统性优化手段扩展工艺窗口；4)曝光方式由接触式演进至步进扫描投影，确立现代主流架构。
光源系统、光学系统与工作台系统三大核心子系统构成，分别承载能量供给、图形成像与精准对位三大关键功能。光源系统通过不断缩短波长以提升分辨率，演进路径从汞灯、KrF、ArF扩展至EUV激光等离子体光源；光学系统作为成像核心，DUV时代以高NA折射透镜为主，EUV时代则转向多层反射镜体系以适应光源波长极限，架构显著改变；而工作台系统则承担晶圆高速移动与高精度对准，在浸没式与EUV设备中演进至双工件台和磁悬浮结构，支撑高通量与纳米级精度协同。三大系统协同推进光刻精度提升、良率改善与产能释放，共同构筑整机壁垒。
点击下载
